DMG7702SFG-7
DMG7702SFG-7
Número de pieza:
DMG7702SFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15764 Pieces
Ficha de datos:
DMG7702SFG-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):890mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:DMG7702SFG-7DITR
DMG7702SFG7
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG7702SFG-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4310pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:31.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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