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2SA1955FVBTPL3Z
- Número de pieza:
- 2SA1955FVBTPL3Z
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12329 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SA1955FVBTPL3Z.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SA1955FVBTPL3Z, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SA1955FVBTPL3Z por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 12V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | VESM |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-723 |
| Otros nombres: | 2SA1955FV-B(TPL3,Z 2SA1955FVBTPL3ZTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SA1955FVBTPL3Z |
| Frecuencia - Transición: | 130MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount VESM |
| Descripción: | TRANS PNP 12V 0.4A VESM |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 10mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
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