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2SA1930(LBS2MATQ,M
- Número de pieza:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PNP 2A 180V TO220-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18588 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SA1930(LBS2MATQ,M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SA1930(LBS2MATQ,M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SA1930(LBS2MATQ,M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 180V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 1A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | TO-220NIS |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | 2SA1930(LBS2MATQM 2SA1930LBS2MATQM |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SA1930(LBS2MATQ,M |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS |
| Descripción: | TRANS PNP 2A 180V TO220-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 5µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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