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2N7000G
- Número de pieza:
- 2N7000G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13444 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N7000G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N7000G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N7000G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Otros nombres: | 2N7000G-ND 2N7000GOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N7000G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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