2N7002WT3G
2N7002WT3G
Número de pieza:
2N7002WT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17802 Pieces
Ficha de datos:
2N7002WT3G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N7002WT3G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N7002WT3G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar 2N7002WT3G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-3 (SOT323)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):280mW (Tj)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2N7002WT3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:24.5pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:310mA (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios