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1SS307(TE85L,F)
- Número de pieza:
- 1SS307(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15003 Pieces
- Ficha de datos:
- 1SS307(TE85L,F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1SS307(TE85L,F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1SS307(TE85L,F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.3V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | S-Mini |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1SS307(TE85LF)TR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1SS307(TE85L,F) |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 30V 100mA Surface Mount S-Mini |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 6pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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