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CRH01(TE85R,Q,M)
- Número de pieza:
- CRH01(TE85R,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18796 Pieces
- Ficha de datos:
- CRH01(TE85R,Q,M).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CRH01(TE85R,Q,M), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CRH01(TE85R,Q,M) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 980mV @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 200V |
| Paquete del dispositivo: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 35ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-123F |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CRH01(TE85R,Q,M) |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 1A SFLAT |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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