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1N4448,113
- Número de pieza:
- 1N4448,113
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13948 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N4448,113.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N4448,113, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N4448,113 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | ALF2 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Otros nombres: | 1N4448 T/R 568-1361-2 933120350113 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 200°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4448,113 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole ALF2 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25nA @ 20V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 200mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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