STPSC10H065G-TR
STPSC10H065G-TR
Número de pieza:
STPSC10H065G-TR
Fabricante:
ST
Descripción:
DIODE SILICON 650V 10A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12821 Pieces
Ficha de datos:
1.STPSC10H065G-TR.pdf2.STPSC10H065G-TR.pdf3.STPSC10H065G-TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.75V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:D²PAK
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-13452-2
STPSC10H065GTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-40°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:15 Weeks
Número de pieza del fabricante:STPSC10H065G-TR
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Surface Mount D²PAK
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SILICON 650V 10A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr:100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):10A
Capacitancia Vr, F:480pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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