Transistores-FETs, MOSFETs-RF

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2N5245_J35Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 15MA TO92	Investigación
NE25139-T1	CEL	FET RF 13V 900MHZ SOT-143	Investigación
MRF8P20100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	Investigación
MRF6VP3450HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230	Investigación
2SK209-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH SOT23	Investigación
PXAC243502FVV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37275-4	Investigación
PXAC261202FCV1S250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 2CH 65V 2.61GHZ	Investigación
MRF6V14300HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.4GHZ NI780S	Investigación
BG 3230 E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363	Investigación
AFV09P350-04GNR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4GW	Investigación
BLF8G20LS-400PVQ	NXP USA Inc.	TRANS RF 400W LDMOS CDFM8	Investigación
PTFA192401EV4XWSA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2	Investigación
ATF-521P8-TR1	Broadcom Limited	FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC	Investigación
PTFB213208FVV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Investigación
BLF1043,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A	Investigación
MRF6S21060MBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4	Investigación
PTF141501E V1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2	Investigación
MMBF4416LT1	ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 15MA SOT23	Investigación
MRF6S19060GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW	Investigación
MRF7S19210HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI780S	Investigación
NE3513M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	Investigación
BF998WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R	Investigación
BF1201,215	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B	Investigación
BLF8G20LS-140VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B	Investigación
CGH40120F	Cree/Wolfspeed	FET RF 84V 4GHZ 440193	Investigación
AFT09H310-03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S	Investigación
MRF1K50GNR5	NXP USA Inc.	WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST	Investigación
BLA1011S-200R,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B	Investigación
PTFA220121MV4R1KXUMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET TRANSISTORS	Investigación
BLF202,115	Ampleon USA Inc.	RF FET NCHA 40V 13DB SOT409A	Investigación
MRFG35002N6T1	NXP USA Inc.	FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5	Investigación
PTFB182557SHV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Investigación
BG5120KH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 20MA SOT363	Investigación
BLP8G05S-200Y	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382	Investigación
PXAC180602MDV1R500XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Investigación
MRF6P27160HR6	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230	Investigación
ARF466BG	Microsemi Corporation	RF FET N CH 1000V 13A TO264	Investigación
2SK3079ATE12LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSF RF N CH 10V PW-X	Investigación
BF1212R,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R	Investigación
BLP15M7160PY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232	Investigación
BLP05H6110XRGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	Investigación
BLF10H6600PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A	Investigación
BF998,235	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143	Investigación
MW7IC2020NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ 24PQFN	Investigación
MRFE6S9046NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 960MHZ TO-270-4	Investigación
MRF9180R5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-1230	Investigación
NPT2020	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 48V 50W DC-3.5GHZ	Investigación
MRF6V2010GNR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-270-2	Investigación
BF245C,112	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 25MA TO92	Investigación
BLF2324M8LS200PJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B	Investigación

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