NTMS4N01R2G
Número de pieza:
NTMS4N01R2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18209 Pieces
Ficha de datos:
NTMS4N01R2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):770mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:NTMS4N01R2GOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTMS4N01R2G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3.3A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

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