NTMS4706NR2
Número de pieza:
NTMS4706NR2
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
18481 Pieces
Ficha de datos:
NTMS4706NR2.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTMS4706NR2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTMS4706NR2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar NTMS4706NR2 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12 mOhm @ 10.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):830mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:NTMS4706NR2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 6.4A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.4A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios