Comprar NTMS4706NR2G con BYCHPS
Compre con garantía
NTMS4706NR2G
- Número de pieza:
- NTMS4706NR2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18636 Pieces
- Ficha de datos:
- NTMS4706NR2G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para NTMS4706NR2G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para NTMS4706NR2G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 mOhm @ 10.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 830mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | NTMS4706NR2G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 6.4A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NTMS4706NR2G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMS4706NR2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4700NR2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4700NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4404NR2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4P01R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4176PR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4705NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.4A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4503NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4935NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | Investigación |
|
NTMS4503NR2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC | Investigación |
|
NTMS4916NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL | Investigación |
|
NTMS4917NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers