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IXTL2X180N10T
- Número de pieza:
- IXTL2X180N10T
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12846 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTL2X180N10T.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTL2X180N10T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTL2X180N10T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Serie: | Trench™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.4 mOhm @ 50A, 10V |
| Potencia - Max: | 150W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXTL2X180N10T |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 151nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
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