VEC2616-TL-H
VEC2616-TL-H
Número de pieza:
VEC2616-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17239 Pieces
Ficha de datos:
VEC2616-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-VEC
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:80 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:VEC2616-TL-HOSDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:VEC2616-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:505pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount 8-VEC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A, 2.5A
Email:[email protected]

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