IXTL2X200N085T
Número de pieza:
IXTL2X200N085T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12041 Pieces
Ficha de datos:
IXTL2X200N085T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:ISOPLUSi5-Pak™
Serie:TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
Potencia - Max:150W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOPLUSi5-Pak™
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTL2X200N085T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 85V 112A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:85V
Descripción:MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:112A
Email:[email protected]

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