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IRLD110
- Número de pieza:
- IRLD110
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 19173 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLD110.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLD110, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLD110 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.3W (Ta) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Otros nombres: | *IRLD110 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLD110 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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