IRLD120PBF
IRLD120PBF
Número de pieza:
IRLD120PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18977 Pieces
Ficha de datos:
IRLD120PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:270 mOhm @ 780mA, 5V
La disipación de energía (máximo):1.3W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres:*IRLD120PBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRLD120PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.3A (Ta)
Email:[email protected]

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