FW811-TL-E
Número de pieza:
FW811-TL-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18305 Pieces
Ficha de datos:
FW811-TL-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.6V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:24 mOhm @ 8A, 10V
Potencia - Max:2.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FW811-TL-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 8A 2.2W Surface Mount 8-SOP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:35V
Descripción:MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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