CAS325M12HM2
CAS325M12HM2
Número de pieza:
CAS325M12HM2
Fabricante:
Cree
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15408 Pieces
Ficha de datos:
CAS325M12HM2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 105mA
Paquete del dispositivo:Module
Serie:Z-REC™
RDS (Max) @Id, Vgs:4.3 mOhm @ 400A, 20V
Potencia - Max:3000W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Module
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:CAS325M12HM2
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1127nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Silicon Carbide (SiC)
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:444A (Tc)
Email:[email protected]

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