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APTSM120AM14CD3AG
- Número de pieza:
- APTSM120AM14CD3AG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- POWER MODULE - SIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15788 Pieces
- Ficha de datos:
- APTSM120AM14CD3AG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTSM120AM14CD3AG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTSM120AM14CD3AG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 9mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | Module |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Potencia - Max: | 2140W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Module |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | APTSM120AM14CD3AG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 1000V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1224nC @ 20V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica de FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V (1.2kV) |
| Descripción: | POWER MODULE - SIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 337A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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