FDMD8530
FDMD8530
Número de pieza:
FDMD8530
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 35A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18739 Pieces
Ficha de datos:
FDMD8530.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.25 mOhm @ 35A, 10V
Potencia - Max:2.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMD8530-ND
FDMD8530TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMD8530
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10395pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:149nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 35A 2.2W Surface Mount Power56
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 35A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35A
Email:[email protected]

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