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FDMD85100
- Número de pieza:
- FDMD85100
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 100V
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18599 Pieces
- Ficha de datos:
- FDMD85100.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDMD85100, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDMD85100 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-Power 5x6 |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Potencia - Max: | 2.2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres: | FDMD85100TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | FDMD85100 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2230pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.4A |
| Email: | [email protected] |
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