FDMD84100
FDMD84100
Número de pieza:
FDMD84100
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14695 Pieces
Ficha de datos:
FDMD84100.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-PQFN (3.3x5)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max:2.1W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMD84100DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMD84100
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:980pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A
Email:[email protected]

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