FDMA291P
FDMA291P
Número de pieza:
FDMA291P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19087 Pieces
Ficha de datos:
FDMA291P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.4W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMA291PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMA291P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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