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BSS83P H6327
- Número de pieza:
- BSS83P H6327
- Descripción:
- MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16492 Pieces
- Ficha de datos:
- BSS83P H6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSS83P H6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSS83P H6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 80µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2 Ohm @ 330mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 360mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BSS83P H6327-ND BSS83PH6327 BSS83PH6327XTSA1 SP000702486 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSS83P H6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 78pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.57nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 330mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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