FDMA2002NZ
FDMA2002NZ
Número de pieza:
FDMA2002NZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19283 Pieces
Ficha de datos:
FDMA2002NZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Potencia - Max:650mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMA2002NZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMA2002NZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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