APTC60HM70BT3G
Número de pieza:
APTC60HM70BT3G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17155 Pieces
Ficha de datos:
APTC60HM70BT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 2.7mA
Paquete del dispositivo:SP3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Potencia - Max:250W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SP3
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTC60HM70BT3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:259nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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