APTC60AM70T1G
Número de pieza:
APTC60AM70T1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15286 Pieces
Ficha de datos:
1.APTC60AM70T1G.pdf2.APTC60AM70T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 2.7mA
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Potencia - Max:250W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APTC60AM70T1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:259nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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