APTC60AM83BC1G
Número de pieza:
APTC60AM83BC1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18961 Pieces
Ficha de datos:
APTC60AM83BC1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 3mA
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:83 mOhm @ 24.5A, 10V
Potencia - Max:250W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTC60AM83BC1G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Característica de FET:Super Junction
Descripción ampliada:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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