ZXMN6A25G
ZXMN6A25G
Número de pieza:
ZXMN6A25G
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18956 Pieces
Ficha de datos:
ZXMN6A25G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 3.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:ZXMN6A25GTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ZXMN6A25G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1063pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A (Ta)
Email:[email protected]

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