ZXMN6A09KTC
ZXMN6A09KTC
Número de pieza:
ZXMN6A09KTC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16594 Pieces
Ficha de datos:
ZXMN6A09KTC.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 7.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.15W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:ZXMN6A09KTCTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ZXMN6A09KTC
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1426pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 7.7A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.7A (Ta)
Email:[email protected]

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