Comprar ZVP4525GTA con BYCHPS
Compre con garantía
ZVP4525GTA
- Número de pieza:
- ZVP4525GTA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19574 Pieces
- Ficha de datos:
- ZVP4525GTA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ZVP4525GTA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ZVP4525GTA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±40V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | ZVP4525GTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ZVP4525GTA |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 73pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.45nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 250V 265mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 3.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 250V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 265mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de ZVP4525GTA
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
ZVP4525E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6 | Investigación |
 |
SIPC30N60CFDX1SA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS 600V | Investigación |
 |
STF2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP | Investigación |
|
ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT-23-6 | Investigación |
 |
ZVP4525GTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.265A SOT223 | Investigación |
 |
IRF1607PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB | Investigación |
 |
ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 | Investigación |
 |
NTB90N02 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | Investigación |
 |
TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | Investigación |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Investigación |
 |
SI5442DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET | Investigación |
|
IRLB8314PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog