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W987D2HBJX7E TR
- Número de pieza:
- W987D2HBJX7E TR
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16070 Pieces
- Ficha de datos:
- W987D2HBJX7E TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para W987D2HBJX7E TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para W987D2HBJX7E TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 90-VFBGA (8x13) |
| Velocidad: | 133MHz |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 90-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 128Mb (4M x 32) |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Número de pieza del fabricante: | W987D2HBJX7E TR |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA |
| Email: | [email protected] |
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