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W979H6KBVX2E TR
- Número de pieza:
- W979H6KBVX2E TR
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 134VFBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13997 Pieces
- Ficha de datos:
- W979H6KBVX2E TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para W979H6KBVX2E TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para W979H6KBVX2E TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.14 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Velocidad: | 400MHz |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 134-VFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (32M x 16) |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Número de pieza del fabricante: | W979H6KBVX2E TR |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 134VFBGA |
| Email: | [email protected] |
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