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VT6M1T2CR
- Número de pieza:
- VT6M1T2CR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12829 Pieces
- Ficha de datos:
- VT6M1T2CR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VT6M1T2CR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VT6M1T2CR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | VMT6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 120mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | VT6M1T2CRTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VT6M1T2CR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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