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VS-GB100TP120N
- Número de pieza:
- VS-GB100TP120N
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14251 Pieces
- Ficha de datos:
- VS-GB100TP120N.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VS-GB100TP120N, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VS-GB100TP120N por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 100A |
| Paquete del dispositivo: | INT-A-PAK |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 650W |
| Paquete / Cubierta: | INT-A-Pak |
| Otros nombres: | VSGB100TP120N |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| termistor NTC: | No |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VS-GB100TP120N |
| Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce: | 7.43nF @ 25V |
| Entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descripción ampliada: | IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK |
| Descripción: | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK |
| Corriente - corte del colector (Max): | 5mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 200A |
| Configuración: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
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