VS-FB180SA10P
Número de pieza:
VS-FB180SA10P
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16669 Pieces
Ficha de datos:
VS-FB180SA10P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6.5 mOhm @ 180A, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SOT-227-4
Otros nombres:VSFB180SA10P
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:VS-FB180SA10P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:10700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:380nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 180A 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:180A
Email:[email protected]

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