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VS-31DQ10G
- Número de pieza:
- VS-31DQ10G
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17780 Pieces
- Ficha de datos:
- VS-31DQ10G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VS-31DQ10G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VS-31DQ10G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 850mV @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | C-16 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-201AD, Axial |
| Otros nombres: | VS31DQ10G |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | VS-31DQ10G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 3.3A Through Hole C-16 |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 3.3A C16 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3.3A |
| Capacitancia Vr, F: | 110pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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