VS-20ETF10STRR-M3
VS-20ETF10STRR-M3
Número de pieza:
VS-20ETF10STRR-M3
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15507 Pieces
Ficha de datos:
VS-20ETF10STRR-M3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.31V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D2Pak)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):400ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Junction:-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:VS-20ETF10STRR-M3
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 20A Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:100µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):20A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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