VS-1EFH02HM3/I
VS-1EFH02HM3/I
Número de pieza:
VS-1EFH02HM3/I
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13479 Pieces
Ficha de datos:
VS-1EFH02HM3/I.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:930mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:DO-219AB (SMF)
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-219AB
Otros nombres:VS-1EFH02HM3/IGITR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:VS-1EFH02HM3/I
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-219AB (SMF)
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:2µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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