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VS-10ETF10-M3
- Número de pieza:
- VS-10ETF10-M3
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19053 Pieces
- Ficha de datos:
- VS-10ETF10-M3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VS-10ETF10-M3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VS-10ETF10-M3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.33V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1000V (1kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AC |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 310ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | VS10ETF10M3 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VS-10ETF10-M3 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1000V (1kV) 10A Through Hole TO-220AC |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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