Comprar VND10N06-1 con BYCHPS
Compre con garantía
VND10N06-1
- Número de pieza:
- VND10N06-1
- Fabricante:
- ST
- Descripción:
- MOSFET POWER 60V 10A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14279 Pieces
- Ficha de datos:
- VND10N06-1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VND10N06-1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VND10N06-1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | Not Required |
|---|---|
| Tensión - Carga: | - |
| Tipo de interruptor: | General Purpose |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | OMNIFET™, VIPower™ |
| Rds On (Tipo): | 150 mOhm |
| Relación - Entrada: Salida: | 1:1 |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Tipo de salida: | N-Channel |
| Configuración de salida: | Low Side |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Número de salidas: | 1 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante: | VND10N06-1 |
| Interfaz: | On/Off |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| Caracteristicas: | - |
| Protección contra fallos: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| Descripción: | MOSFET POWER 60V 10A IPAK |
| Corriente - Salida (Max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VND10N06-1
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
VND10N0613TR | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | Investigación |
 |
VND10N06-1-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A IPAK | Investigación |
|
VND10N06TR-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | Investigación |
|
VND10N06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | Investigación |
 |
VND10B-11-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE 2CH PENTAWATT HRZ | Investigación |
|
VND10B(011Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | Investigación |
|
VND10N06-E | STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK | Investigación |
 |
VND10BSP | STMicroelectronics | IC SSR HISIDE ISO 40V POWERSO10 | Investigación |
|
VND10BSPTR-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Investigación |
|
VND10BSP-E | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | Investigación |
 |
VND10B-12-E | STMicroelectronics | IC SSR HI SIDE DUAL PENTAWATT | Investigación |
|
VND10B(012Y) | STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers