VN2210N3-G
Número de pieza:
VN2210N3-G
Fabricante:
Micrel / Microchip Technology
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13871 Pieces
Ficha de datos:
VN2210N3-G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 10mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:350 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):740mW (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:VN2210N3-G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.2A (Tj)
Email:[email protected]

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