Comprar VBO20-12AO2 con BYCHPS
Compre con garantía
VBO20-12AO2
- Número de pieza:
- VBO20-12AO2
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13443 Pieces
- Ficha de datos:
- VBO20-12AO2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VBO20-12AO2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VBO20-12AO2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 1200V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.8V @ 55A |
| Tecnología: | Avalanche |
| Paquete del dispositivo: | FO-A |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 4-Square, FO-A |
| Otros nombres: | VBO2012AO2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | QC Terminal |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | VBO20-12AO2 |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 1200V 31A QC Terminal FO-A |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 300µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 31A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de VBO20-12AO2
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
VUO36-12NO8 | IXYS | RECT BRIDGE 27A 1200V FO-B | Investigación |
 |
VBO20-08NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A | Investigación |
 |
G3SBA60L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | Investigación |
|
VBO20-12NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A | Investigación |
|
VS-111MT100KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK | Investigación |
 |
VBO20-16AO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A | Investigación |
 |
GBU6D | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 6A GBU | Investigación |
|
VBO20-16NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1600V STD FO-A | Investigación |
|
GBL06-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL | Investigación |
|
VBO20-14NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1400V STD FO-A | Investigación |
 |
CBRHD-04 TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 500MA 400V 4HD DIP | Investigación |
|
VBO20-14AO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A | Investigación |
 |
MB86-BP | Micro Commercial Co | RECTIFIER BRIDGE 8A 600V BR-6 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog