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VB20120SG-E3/4W
- Número de pieza:
- VB20120SG-E3/4W
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15418 Pieces
- Ficha de datos:
- VB20120SG-E3/4W.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para VB20120SG-E3/4W, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para VB20120SG-E3/4W por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.33V @ 20A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 120V |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | TMBS® |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | VB20120SG-E3/4W |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 120V 20A Surface Mount TO-263AB |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 250µA @ 120V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 20A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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