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V12P10HE3/86A
- Número de pieza:
- V12P10HE3/86A
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13832 Pieces
- Ficha de datos:
- V12P10HE3/86A.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para V12P10HE3/86A, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para V12P10HE3/86A por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 700mV @ 12A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | TO-277A (SMPC) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | eSMP®, TMBS® |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-277, 3-PowerDFN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | V12P10HE3/86A |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 100V 12A Surface Mount TO-277A (SMPC) |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 250µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 12A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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