US5U30TR
US5U30TR
Número de pieza:
US5U30TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15563 Pieces
Ficha de datos:
US5U30TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TUMT5
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:390 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:US5U30TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:P-Channel 20V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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