UPA2821T1L-E1-AT
Número de pieza:
UPA2821T1L-E1-AT
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16142 Pieces
Ficha de datos:
UPA2821T1L-E1-AT.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-HWSON (3.3x3.3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.8 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:UPA2821T1L-E1-AT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2490pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:51nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 26A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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