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UMN10NTR
- Número de pieza:
- UMN10NTR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18670 Pieces
- Ficha de datos:
- UMN10NTR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para UMN10NTR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para UMN10NTR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Paquete del dispositivo: | UMD6 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | UMN10NTR |
| Descripción ampliada: | Diode Array 3 Independent Standard 80V 100mA Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 3 Independent |
| Descripción: | DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 70V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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